2dsemiconductors石墨烯產品簡介
描述
我們的設施已開發出羧基 (-COOH) 官能化石墨烯。可以通過傳統的機械剝離或溶液形式的旋涂沉積在各種基材上。羧基高達3%,產品純度99.9%。
平均晶粒尺寸約為 1-10 微米,可懸浮在 DI、DMF 和其他極性溶劑中進行旋涂沉積。
材料、物理、生物科學和化學應用的理想選擇。
描述
我們的設施已開發出氟化石墨烯。碳氟比為 1:1,粒徑范圍為 1-15 微米。電阻率為 1E11-1E12 Ohm.cm。該產品是電池、潤滑、熱管理和 2D 電子/基板應用的理想選擇。單層可以通過機械剝離或旋涂工藝沉積到各種基材上。該產品附帶詳細的去角質技術指南,可讓您提高單層生產率。
描述
3D 石墨烯泡沫通過化學氣相沉積 (CVD) 工藝舒適地沉積在鎳泡沫箔上。鎳 (Ni) 泡沫是通過在高溫下進行酸反應,然后是 4 步 CVD 石墨烯生長工藝制成的。總體而言,在 C2H4 氣體與 H2 氣體反應后,少數層和單層石墨烯沉積在 Ni 壁上。這些材料是氣體分離、催化、氣體檢測、傳感應用的理想選擇。
Ni泡沫箔上石墨烯的拉曼光譜
沉積在泡沫鎳箔上的石墨烯的多孔結構
泡沫鎳箔上的石墨烯泡沫圖像